傳統(tǒng)存儲器的技術局限以及不斷縮小的制造尺寸所帶來的巨大挑戰(zhàn)促使科研人員開始尋找新一代存儲器件，它應具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度，具有動態(tài)存儲器甚至閃存級別的集成密度和類似Flash的非易失性存儲特性。
 
“萬能存儲器”概念作為新一代存儲器的要求被提出來。自旋轉移矩—磁隨機存儲器器件（Spin Transfer Torque - Magnetic RandomAccess Memory：STT-MRAM）就是一種接近“萬能存儲器”要求的極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
 
類比地球的公轉與自轉，微觀世界的電子同時具有圍繞原子核的“公轉”軌道運動（電荷屬性）、電子內稟運動（自旋屬性）。STT-MRAM就是一種可以同時操縱電子電荷屬性及自旋屬性的存儲器件。1988年，法國阿爾貝·費爾和德國彼得·格林貝格研究員通過操縱電子自旋屬性實現(xiàn)了基于電子自旋效應的磁盤讀頭，使磁盤容量在20年間從幾十兆比特（MB）暴增到幾太比特（TB）。他們因此獲得2007年的諾貝爾物理獎。

 
在讀操作方面，磁隨機存儲器一般基于隧穿磁阻效應，在鐵磁層1/絕緣層/鐵磁層2三層結構中，當兩層鐵磁層磁化方向相同時，器件呈現(xiàn)“低電阻狀態(tài)”，當兩層鐵磁層磁化方向相反時，器件呈現(xiàn)“高電阻狀態(tài)”，且兩個狀態(tài)可以相互轉化；在寫操作方面，基于自旋轉移矩效應，器件處于高阻態(tài)時，通自上而下的電流，反射的自旋多態(tài)電子會翻轉易翻轉層磁化方向，器件由低阻態(tài)變?yōu)楦咦钁B(tài)；器件處于低阻態(tài)時，通自下而上的電流，隧穿的自旋多態(tài)電子會翻轉易翻轉層磁化方向，器件由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)。自旋轉移矩效應已被驗證可實現(xiàn)1納秒以下的寫操作。
 
STT-MRAM不僅接近“萬能存儲器”的性能，同時由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲，具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù)，已被美日韓等國列為最具應用前景的下一代存儲器之一。

考慮到STT-MRAM采用了大量的新材料、新結構、新工藝，加工制備難度極大，現(xiàn)階段其基本原理還不夠完善，發(fā)明專利分散在各研究機構、公司中，專利封鎖還未完全形成，正是國內發(fā)展該項技術的最好時機。
 
美國everspin已經(jīng)推出了其mram存儲器芯片產(chǎn)品，并被大量用于高可靠性應用領域。已開發(fā)出其大容量STT-MRAM測試芯片。宣布具備了STT-MRAM的生產(chǎn)能力。美日韓等國很有可能在繼硬盤、DRAM及Flash等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。