此前，三星電子和 SK Hynix 去年生產(chǎn)了第一批 128 層 NAND 閃存產(chǎn)品，一旦 YMTC 按計劃生產(chǎn) 128 層產(chǎn)品，韓國和中國公司之間的技術差距可能會小于兩年。

在 2015 年中國政府就宣布，中國將在 10 年內(nèi)實現(xiàn)半導體行業(yè)的自給自足。為此，中國的投資額已達一萬億元人民幣，并且還在繼續(xù)努力。三星電子和 SK 海力士擔心中國大力投資半導體行業(yè)的這一舉動，讓其市場份額和銷售下降。

清華紫光集團正在將其業(yè)務擴展到移動應用處理器。該公司于 2013 年收購了展訊和 RDA Microelectronics，以增強其系統(tǒng)芯片設計能力。清華紫光集團的 IC 設計公司 Unisoc 計劃通過臺積電生產(chǎn) 6 納米 5G 調(diào)制解調(diào)器和應用處理器。

Unisoc 是應用處理器行業(yè)新銳，它的 6 納米應用處理器設計需要基于多方支持才能落地，因為目前只有少數(shù)公司，例如高通，三星電子，蘋果和華為，能夠完成相應設計。

負責清華紫光集團 NAND 閃存業(yè)務的 YMTC，其總部和制造工廠位于武漢，在武漢封城的兩個月里，YMTC 照常運轉(zhuǎn)著工廠，沒有中國政府的協(xié)助，這是不可能的。

三星電子和 SK Hynix 在 2019 年第四季度分別占全球 NAND 閃存市場的 35.5％和 9.6％。在此期間，中國幾乎占據(jù)了全球半導體需求的一半。去年，這兩家韓國公司在中國的銷售額分別為 380,405 億韓元和 125,702 億韓元。SK 海力士在中國的銷售額占該公司總銷售額的比例為 46％。在全球 NAND 閃存市場中，包括 YMTC 在內(nèi)的中國公司可能會做出積極努力，趕上韓國公司，因為該市場的進入門檻相對低于 DRAM 市場。此外，美光科技即將生產(chǎn) 128 層 3D NAND 閃存產(chǎn)品，英特爾有望在今年內(nèi)制造出業(yè)內(nèi)首批 144 層 NAND 閃存產(chǎn)品。

三星電子通過增加投資來應對挑戰(zhàn)。例如，自 2017 年以來，該公司已在其位于中國西安的第二座工廠投資了 70 億美元，并計劃增加 80 億美元的投資，一旦完成投資，該工廠每月 NAND 閃存產(chǎn)量（生產(chǎn) 90 層以上的 3D NAND 閃存芯片）將至少達到 130,000 個。SK 海力士還計劃通過增加投資來“阻止”中國公司。在過去三年中，該公司在該行業(yè)的年均投資超過 13 萬億韓元。

實際上，中國政府的 1 萬億元投資不足以取代三星電子和 SK 海力士。從 2017 年到 2019 年，韓國公司在該行業(yè)的投資分別為 7.3 萬億韓元和 4 萬億韓元。同時，中國政府的投資約為 10 萬億韓元，為期 10 年。換句話說，中國半導體公司需要更多的財務資源。

這就是為什么有些“專家”指出，中國公司將通過到處挖掘?qū)I(yè)人才、稅收優(yōu)惠等措施實現(xiàn)快速跟進策略，而中國政府將繼續(xù)支持這些公司，直到它們實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)并占據(jù)相當?shù)氖袌龇蓊~，例如，盡管相關芯片精度較低，但中國 PC 制造商仍使用這些公司的 DRAM 和 NAND 閃存芯片。