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高通驍龍875G/735G首曝:三星5nm工藝

2020-07-16 08:48 快科技

導(dǎo)讀:驍龍875G不再采外掛基帶的方式,而是真正將基帶芯片集成,其整體性能更令人期待。

7月16日消息,@手機晶片達人分享了一份投行報告,這份報告曝光了高通未來的芯片產(chǎn)品規(guī)劃。如圖所示,高通將在2020年Q4商用驍龍662和驍龍460,2021年Q1商用驍龍875G和驍龍435G,2021年Q1到Q2之間商用驍龍735G。

其中驍龍875G是高通2021年主打的旗艦平臺,驍龍735G是高通2021年的中端平臺,二者都是三星5nm EUV工藝制程。

據(jù)報道,三星5nm EUV工藝性能提升10%,功耗降低20%。

至于驍龍875G,此前有消息稱高通會采用Cortex X1超大核心+Cortex A78大核心的組合。

報道稱高通自驍龍855開始就已經(jīng)在旗艦平臺上引入1+3+4三叢集架構(gòu),隨著ARM Cortex A78和Cortex X1核心架構(gòu)的登場,高通驍龍875G有可能會引入真正的超大核組合架構(gòu),也就是Cortex X1+Cortex A78。

ARM表示,Cortex X1核心架構(gòu)將提供比Cortex-A77高30%的最大效能,也較同時發(fā)表的Cortex-A78核心最大效能高23%,機器學(xué)習(xí)能力是Cortex-A78的兩倍。

一旦高通驍龍875G使用Cortex X1+Cortex A78的組合,它將會打破安卓陣營中處理器的性能紀錄。而且驍龍875G不再采外掛基帶的方式,而是真正將基帶芯片集成,其整體性能更令人期待。