據(jù)外媒New Atlas報道，得克薩斯大學的工程師們創(chuàng)造了有史以來最小的記憶存儲設備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。

這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個原子的運動來工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。

這種新設備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開關存儲數(shù)據(jù)。從本質上講，當某種材料暴露在一定的電壓下時，其電阻可以切換，變得更強或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫入設備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數(shù)據(jù)。

該團隊表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個原子。如果要擴大規(guī)模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運行所需的能量也更少。