據(jù)中國臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體巨頭臺(tái)積電南京廠目前月產(chǎn)能已達(dá)成原定2萬片目標(biāo)，而之前依計(jì)劃擴(kuò)增南京廠產(chǎn)能，今年月產(chǎn)能已由1.5萬片擴(kuò)增至2萬片，制程技術(shù)以12nm及16nm為主。

此前有消息稱，臺(tái)積電決定啟動(dòng)南京廠第2期擴(kuò)建，并以28nm制程為主。對(duì)于這個(gè)消息，臺(tái)積電表示，目前南京廠尚無進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)具體計(jì)劃。

臺(tái)積電財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電南京廠去年即轉(zhuǎn)虧為盈，全年獲利新臺(tái)幣12.89億元（約合人民幣 2.97 億元）。隨著產(chǎn)能規(guī)模擴(kuò)大，今年前3季獲利擴(kuò)增至新臺(tái)幣91.29億元（約合人民幣21億元）。

此前還有媒體報(bào)道稱，為了保持領(lǐng)先，臺(tái)積電已經(jīng)下單訂購了至少13臺(tái)ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會(huì)在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時(shí)間表尚不清楚。同時(shí)，明年臺(tái)積電實(shí)際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺(tái)EUV光刻機(jī)。

目前，臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來幾個(gè)季度，該公司將增加N6（實(shí)際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺(tái)積電對(duì)EUV工具的需求正在增加是因?yàn)槠浼夹g(shù)越來越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺(tái)積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時(shí)多圖案技術(shù)的使用。