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制造高端芯片的兩大難點(diǎn)被攻破

2020-12-23 09:06 考拉科技館

導(dǎo)讀:終于突破了,中國(guó)芯傳來(lái)好消息,制造高端芯片的兩大難點(diǎn)被解決!

截至2019年,我國(guó)芯片自給率僅有30%。

這意味著,國(guó)內(nèi)超過(guò)70%的芯片,都是通過(guò)進(jìn)口渠道獲得,這是一個(gè)相當(dāng)可怕的數(shù)據(jù)。70%的芯片都需要進(jìn)口,這揭示出兩個(gè)讓人無(wú)奈的事實(shí)。第一,我國(guó)每年需要拿出一大筆錢(qián)對(duì)外購(gòu)買(mǎi)芯片;第二,我們隨時(shí)都面臨著被斷供芯片的危機(jī)。

而更糟糕的是,現(xiàn)在第二個(gè)事實(shí)已經(jīng)在部分中企身上應(yīng)驗(yàn)了。美國(guó)之所以對(duì)華為實(shí)行芯片斷供,就是因?yàn)槠淇吹搅宋覈?guó)在芯片制造領(lǐng)域的巨大短板。

必須要解決國(guó)內(nèi)芯片領(lǐng)域的短板!

不然,華為今天的遭遇,將會(huì)原封不動(dòng)地降臨到其他中國(guó)企業(yè)身上。

值得慶幸的是,華為今天的遭遇,已經(jīng)引起我們國(guó)家重視。在今年8月,國(guó)家出臺(tái)了多項(xiàng)扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策,同時(shí),國(guó)家還定下計(jì)劃,在2025年,中國(guó)芯片自給率必須要達(dá)到70%。

五年時(shí)間,讓國(guó)內(nèi)芯片的自給率從30%飆升至70%,這是一個(gè)相當(dāng)大的目標(biāo),也很不好實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然,不好實(shí)現(xiàn),并不意味著不可能實(shí)現(xiàn)。特別是,近段時(shí)間國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司頻頻傳來(lái)捷報(bào),更是助長(zhǎng)了全體國(guó)人的信心。

就在本月,中國(guó)芯傳來(lái)好消息!終于突破了,制造高端芯片的兩大難點(diǎn)被中國(guó)成功解決!

先說(shuō)高端芯片制造的第一大難點(diǎn):在芯片制造過(guò)程中,光刻膠是不可或缺的材料。而以往,國(guó)內(nèi)只能制造生產(chǎn)低端芯片的光刻膠,而生產(chǎn)高端芯片所需的光刻膠,則幾乎都被日韓半導(dǎo)體企業(yè)所壟斷。

這就導(dǎo)致,如果我國(guó)想制造高端芯片,那就必須向日韓光刻膠制造商購(gòu)買(mǎi),而只能對(duì)外采購(gòu),無(wú)疑會(huì)極大地降低中國(guó)芯的抗風(fēng)險(xiǎn)能力。值得欣慰的是,現(xiàn)在高端光刻膠的問(wèn)題終于突破了!

就在幾天前,寧波南大光電發(fā)布重要公告,內(nèi)容大意是:該司生產(chǎn)的高端ArF光刻膠已經(jīng)通過(guò)各項(xiàng)測(cè)試,良品率達(dá)標(biāo)。據(jù)介紹,南大光電此次通過(guò)測(cè)試的ArF光刻膠,可以用于90nm-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。

可用于90nm-7nm工藝,這意外著,后續(xù)我國(guó)在生產(chǎn)高端芯片時(shí),無(wú)需再擔(dān)心沒(méi)有自主可控的高端光刻膠可用的問(wèn)題。

而除了實(shí)現(xiàn)高端光刻膠國(guó)產(chǎn)化的目標(biāo)外,在高端芯片封測(cè)的這一大難題上,我們也終于取得突破!可能有人還不了解,芯片制造的最后環(huán)節(jié),就是封測(cè)。而封測(cè)技術(shù)的強(qiáng)弱,則將決定一顆芯片是否好用。

特別是高端芯片,封測(cè)步驟更是至關(guān)重要,也是一大難點(diǎn)!而在此之前,國(guó)內(nèi)企業(yè)掌握的封測(cè)技術(shù),都較為低端,無(wú)法用于高端芯片。

但如今,國(guó)內(nèi)的歐菲光集團(tuán)正式傳來(lái)好消息,該司已成功研發(fā)半導(dǎo)體封裝用高端引線(xiàn)框架。據(jù)悉,這一次歐菲光集團(tuán)研發(fā)的“引線(xiàn)框架”,就是一種較為先進(jìn)的封測(cè)技術(shù),可用于高端芯片的封測(cè)!

一個(gè)月之內(nèi)傳來(lái)兩個(gè)有關(guān)高端芯片制造的捷報(bào),不少?lài)?guó)內(nèi)網(wǎng)友也是感慨道:越來(lái)越有信心了,照這個(gè)速度,等到了2025年,我們還真的有可能實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的目標(biāo)。

事實(shí)上,這并非網(wǎng)友盲目樂(lè)觀(guān),因?yàn)樵谏鲜鰞杉覈?guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司傳來(lái)突破的消息之前,中芯國(guó)際還傳來(lái)一個(gè)重磅消息,其研發(fā)的N+1芯片制程工藝已經(jīng)成功流片。

而根據(jù)測(cè)試,用中芯國(guó)際N+1工藝制造的芯片,整體水準(zhǔn)與臺(tái)積電生產(chǎn)的7nm芯片相當(dāng)接近。

解決了高端光刻膠、高端芯片封測(cè)技術(shù)這兩個(gè)大難題,再加上中芯國(guó)際也已經(jīng)可以制造水平接近臺(tái)積電7nm的芯片。

這意味著,我國(guó)已經(jīng)初步具備生產(chǎn)高端芯片的基礎(chǔ)。后續(xù)隨著這三家的技術(shù)進(jìn)一步完善,五年后,我國(guó)確實(shí)有望實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的目標(biāo)。

而美國(guó)的封鎖,也將不攻自破!