在產(chǎn)能為王的當(dāng)下，半導(dǎo)體制造，特別是精細(xì)分工后的晶圓代工業(yè)越來(lái)越受到產(chǎn)業(yè)界和各國(guó)政府的重視。特別是在中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)，以及歐洲和美國(guó)這五大市場(chǎng)，無(wú)論是產(chǎn)業(yè)資本，還是政府政策，都在加碼各地區(qū)的半導(dǎo)體制造，以求在未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)中爭(zhēng)取主動(dòng)權(quán)。

自從上世紀(jì)50年代誕生集成電路以來(lái)，先由美國(guó)引領(lǐng)，歐洲緊隨其后發(fā)展，然后就是1970年代日本的快速崛起，之后被美國(guó)打壓，一蹶不振到現(xiàn)在（這里主要指芯片制造，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料和設(shè)備方面，日本的競(jìng)爭(zhēng)力還是非常強(qiáng)的），與此同時(shí)，韓國(guó)在1990年代趁機(jī)崛起。而進(jìn)入新世紀(jì)之后，中國(guó)大陸的芯片制造業(yè)得到快速發(fā)展，也開(kāi)始在全球芯片制造競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中占有一席之地。而自從1980年代開(kāi)創(chuàng)晶圓代工商業(yè)模式以來(lái)，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的芯片制造業(yè)就一直穩(wěn)定發(fā)展，且在全球市場(chǎng)始終穩(wěn)健前行。

晶圓代工模式問(wèn)世后（1987年由臺(tái)積電開(kāi)創(chuàng)），全球芯片制造業(yè)就進(jìn)入了“現(xiàn)代化”的發(fā)展模式，一直到今天。在這幾十年里，每十年，全球芯片制造市場(chǎng)產(chǎn)能格局都會(huì)發(fā)生變化，有的市場(chǎng)衰退，有的市場(chǎng)不斷壯大，有的則穩(wěn)健發(fā)展，具體如下圖所示。

圖11990-2000年

從圖1中可以看出，在這10年當(dāng)中，美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣這五大市場(chǎng)基本處于均衡競(jìng)爭(zhēng)的狀態(tài)。相互之間的差距不大。

美國(guó)

作為集成電路技術(shù)的發(fā)源地，在1990年代以前，美國(guó)是全球半導(dǎo)體與集成電路制造業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。然而，美國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展并不是一帆風(fēng)順的，特別是在1980年代，曾一度被日本打敗。

從歷史來(lái)看，晶體管、集成電路、大型集成電路、超大規(guī)模集成電路、個(gè)人電腦、智能終端等發(fā)展，美國(guó)不是技術(shù)發(fā)明者就是行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。“第一款產(chǎn)品”意味著開(kāi)拓?zé)o人占領(lǐng)的新興市場(chǎng)，也意味著對(duì)后來(lái)者設(shè)定市場(chǎng)準(zhǔn)則。因此，作為半導(dǎo)體游戲規(guī)則制定者與裁判，這種雙重身份使得美國(guó)在半導(dǎo)體發(fā)展史上展現(xiàn)出了超強(qiáng)實(shí)力。這也正是其在1990年代能夠在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域保持競(jìng)爭(zhēng)力的重要原因。

歐洲

歐洲的半導(dǎo)體業(yè)是緊隨美國(guó)發(fā)展起來(lái)的，特別是制造，當(dāng)時(shí)的飛利浦（NXP還沒(méi)有拆分出來(lái)）、英飛凌和意法半導(dǎo)體憑借超強(qiáng)的IDM綜合實(shí)力，在1990年代的全球芯片制造市場(chǎng)具有很強(qiáng)的話語(yǔ)權(quán)。

中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)

自1987年臺(tái)積電首創(chuàng)晶圓代工Foundry模式后，中國(guó)臺(tái)灣以代工切入，在全球芯片制造市場(chǎng)的地位迅速攀升。隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)提升，1990年代在該領(lǐng)域具備了很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力和很高的市占率。

實(shí)際上，在臺(tái)積電出世之前，中國(guó)臺(tái)灣就依靠早期給在臺(tái)建廠的美日廠商做基礎(chǔ)低端加工起步，積累了大量知識(shí)與技術(shù)。1980年代末，抓住美國(guó)逐漸轉(zhuǎn)向Fabless模式推行全球縱向分工的機(jī)會(huì)，將利潤(rùn)不高、投資金額大的芯片制造、封測(cè)轉(zhuǎn)進(jìn)臺(tái)灣島內(nèi)，使其在設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和封裝這四個(gè)環(huán)節(jié)都有相應(yīng)發(fā)展，為后來(lái)的技術(shù)提升打下了良好的基礎(chǔ)。

到1990年代末期，隨著全球貿(mào)易的進(jìn)一步深化，中國(guó)臺(tái)灣憑借相對(duì)廉價(jià)的勞動(dòng)力優(yōu)勢(shì)，以客戶為導(dǎo)向的晶圓代工模式快速興起，臺(tái)積電、聯(lián)電等臺(tái)灣本地區(qū)晶圓代工企業(yè)崛起，此后，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，分工也越來(lái)越明確，如聯(lián)發(fā)科和晨星做芯片、臺(tái)積電和聯(lián)電專注于晶圓代工，日月光、精材做封裝等，逐步擴(kuò)大了其在全球芯片制造市場(chǎng)的影響力。

政策方面，在1970年代，中國(guó)臺(tái)灣確定了以科技產(chǎn)業(yè)為核心的政策，扶持了眾多科技公司，威盛電子、聯(lián)電、富士康均在此期間成立。而臺(tái)灣地區(qū)的電子產(chǎn)業(yè)涉及手機(jī)、電腦、LED、電子組裝等，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈非常完善，相關(guān)公司眾多，給半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展和崛起（特別是芯片制造業(yè)）提供了良好土壤。為了支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，中國(guó)臺(tái)灣建立了世界上第一個(gè)由政府主導(dǎo)成立的科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)——新竹科技產(chǎn)業(yè)園。

日本

1950年代，日本半導(dǎo)體業(yè)就開(kāi)始跟隨美國(guó)發(fā)展了，1970-1986年為黃金期。1986年，全球排名前10半導(dǎo)體公司中有6家來(lái)自日本，前三強(qiáng)為日本電氣、日立和東芝。當(dāng)時(shí)，日本DRAM市占率達(dá)80%，反超美國(guó)成為全球半導(dǎo)體第一強(qiáng)國(guó)。對(duì)此，當(dāng)時(shí)的美國(guó)政府迅速做出了戰(zhàn)略調(diào)整，推出了包括最為著名的《美日半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)議》（TheU.SJapanSemiconductorTradeAgreements）與SEMATECH聯(lián)盟（美國(guó)半導(dǎo)體科技與制造發(fā)展聯(lián)盟）。在美國(guó)的打壓下，日本半導(dǎo)體業(yè)開(kāi)始走下坡路，逐漸沒(méi)落。現(xiàn)今，已經(jīng)沒(méi)有一家日本企業(yè)專注于DRAM了。

那之后的1990-2000年，是日本半導(dǎo)體制造業(yè)盛宴的尾聲，雖然開(kāi)始沒(méi)落，但由于底子雄厚，所以在這10年，在芯片制造方面還是可以和其它幾大市場(chǎng)分庭抗禮的。

韓國(guó)

1959年，韓國(guó)金星社（LG公司的前身）研制并生產(chǎn)出韓國(guó)第一臺(tái)真空管收音機(jī)，這被認(rèn)為是韓國(guó)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的開(kāi)端。

發(fā)展到1970年代，韓國(guó)半導(dǎo)體組裝業(yè)在美日企業(yè)的帶動(dòng)下，已經(jīng)取得了一定的成績(jī)，出口貿(mào)易中電子工業(yè)的比重持續(xù)擴(kuò)大。

1981年，韓國(guó)政府為推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，制定了“半導(dǎo)體工業(yè)育成計(jì)劃”，加強(qiáng)了對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。政府還頒布了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性長(zhǎng)期規(guī)劃（1982-1986）。而韓國(guó)工商部下屬的電器電子工業(yè)局的局長(zhǎng)所領(lǐng)導(dǎo)的工作小組提出“1981年計(jì)劃”，該計(jì)劃具體明確了需要大力發(fā)展的四個(gè)領(lǐng)域：超大規(guī)模集成電路、計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備和電子部件。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，該計(jì)劃偏向晶圓制造，而不是測(cè)試和封裝，并確立了將大規(guī)模生產(chǎn)內(nèi)存芯片用以出口而不是滿足國(guó)內(nèi)需求的戰(zhàn)略。由于得到政府的大力支持，三星、現(xiàn)代等都宣布大舉參與超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)，尤其是DRAM。

1980年代，DRAM芯片價(jià)格不斷下探，但三星逆周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開(kāi)發(fā)更大容量的DRAM。1987年，行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折，美國(guó)政府發(fā)起針對(duì)日本半導(dǎo)體企業(yè)的反傾銷訴訟，很快，DRAM價(jià)格回升了，三星開(kāi)始盈利。之后就一路高歌猛進(jìn)，從而為韓國(guó)在1990年代與其它芯片制造市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)奠定了基礎(chǔ)。

2000-2010年

從圖1中可以看出，在這10年內(nèi)，中國(guó)大陸異軍突起，在全球芯片制造領(lǐng)域占有了一席之地。之所以如此，得益于在這之前的產(chǎn)業(yè)發(fā)展和政策推動(dòng)。

1965年，中國(guó)第一塊硅基數(shù)字集成電路研制成功，開(kāi)創(chuàng)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)史；1982年，無(wú)錫742廠從東芝引進(jìn)電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線，這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)；1985年，我國(guó)第一塊64KDRAM在無(wú)錫742廠試制成功；1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立合資公司——首鋼NEC電子有限公司；1997年，上海華虹集團(tuán)與日本NEC合資組建上海華虹NEC電子有限公司，承擔(dān)“909”工程超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線建設(shè)任務(wù)；1998年，華晶與上華簽定合作生產(chǎn)MOS晶圓合約，中國(guó)大陸開(kāi)始進(jìn)入Foundry時(shí)代；2000年，中芯國(guó)際成立。

政策方面，1982年，國(guó)務(wù)院成立電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了中國(guó)集成電路發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)；1989年，當(dāng)時(shí)的機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；1990年，國(guó)務(wù)院決定實(shí)施“908”工程；1995年，國(guó)務(wù)院決定實(shí)施集成電路“909”工程，集中建設(shè)我國(guó)第一條8英寸產(chǎn)線。

自2000年以來(lái)，我國(guó)國(guó)務(wù)院和相關(guān)部委陸續(xù)出臺(tái)了一系列促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策。特別自2014年，國(guó)家出臺(tái)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，明確規(guī)劃了未來(lái)國(guó)家繼承電路發(fā)展的階段和目標(biāo)，在那之后，各地方也響應(yīng)國(guó)家政策，出臺(tái)了一系列地方性集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)政策，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。

2010-2020年

從圖1中可以看出，在這10年，韓國(guó)芯片制造規(guī)模進(jìn)一步壯大，明顯超過(guò)了所有其它地區(qū)。與之相反，歐洲芯片制造明顯萎縮，全球市占率下降到了1%，這主要是因?yàn)闅W洲幾乎沒(méi)有20nm以下的先進(jìn)制程工藝，生產(chǎn)的大多都是采用40nm及以上制程工藝的模擬芯片。

歷經(jīng)近60年的發(fā)展，韓國(guó)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的佼佼者。2011年，韓國(guó)半導(dǎo)體市占率達(dá)到了16%，第一次超越日本，成為僅次于美國(guó)的第二大半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)。在存儲(chǔ)市場(chǎng)，三星、SK海力士在DRAM和NANDFlash領(lǐng)域市場(chǎng)份額連續(xù)多年全球領(lǐng)先。繼存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)方面占據(jù)統(tǒng)治地位之后，以三星為代表，韓國(guó)在智能手機(jī)應(yīng)用處理器、晶圓代工等業(yè)務(wù)也躋身全球頂尖行列。

從1977年到2017年，韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)出口金額增長(zhǎng)迅速，40年間年均復(fù)合增長(zhǎng)率為16%，2017年的出口額高達(dá)979億美元，同比增長(zhǎng)57.4%。

同樣是在2017年，韓國(guó)半導(dǎo)體制造迎來(lái)了又一個(gè)歷史巔峰，全球前十名半導(dǎo)體企業(yè)榜單中，三星和SK海力士營(yíng)收規(guī)模均進(jìn)入前三，三星更是超越了25年長(zhǎng)居第一的英特爾，榮登榜首。三星和SK海力士?jī)杉移髽I(yè)總營(yíng)收高達(dá)875.2億美元，占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值的21.0%。

從圖1可以看出，在這10年，中國(guó)大陸也在鞏固著前10年取得的成果。由于國(guó)際芯片制造產(chǎn)能重心向亞洲轉(zhuǎn)移，中國(guó)大陸晶圓產(chǎn)能占比逐步提升，而美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)產(chǎn)能在全球占比已從1980年的42%降至1990年的30%，到2018年，這一數(shù)字僅為12.8%。截至2018年，韓國(guó)、日本、中國(guó)大陸、臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)能占比分別為21%、17%、13%和22%。其中，中國(guó)大陸晶圓產(chǎn)能占比從2011年的9%提升至2018年的13%。

隨著半導(dǎo)體終端應(yīng)用崛起，晶圓制造業(yè)產(chǎn)能逐步向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，三星、SK海力士、英特爾等海外芯片廠商紛紛在中國(guó)大陸設(shè)廠，以保持產(chǎn)品供應(yīng)和成本競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)，本土晶圓廠建設(shè)如火如荼。預(yù)計(jì)到2022年，中國(guó)大陸12英寸晶圓廠產(chǎn)能將達(dá)到200萬(wàn)片/月，年均增速為42.2%，其中，本土企業(yè)晶圓廠產(chǎn)能將從2018年的15萬(wàn)片/月增至113萬(wàn)片/月（年均增速65.6%），外資晶圓廠產(chǎn)能由34萬(wàn)片/月增至87萬(wàn)片/月（年均增速26.5%）。本土晶圓廠產(chǎn)能占比將從2018年的31%提升至2022年的57%。8英寸晶圓廠方面，到2022年，產(chǎn)能合計(jì)有望達(dá)到139萬(wàn)片/月，其中，本土和外資晶圓廠產(chǎn)能將分別達(dá)到96萬(wàn)片/月和43萬(wàn)片/月。

2020-2030年

從圖1可以看出，這10年的最大看點(diǎn)依然是中國(guó)大陸，芯片產(chǎn)能與上一個(gè)10年相比，有望增加一倍。

除了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國(guó)轉(zhuǎn)移這一因素之外，半導(dǎo)體業(yè)與宏觀經(jīng)濟(jì)的強(qiáng)相關(guān)性也在逐漸加強(qiáng)，中國(guó)大陸每年約6%的GDP增速，是芯片制造強(qiáng)有力的發(fā)展保證。

另外，中美貿(mào)易摩擦堅(jiān)定了我國(guó)自主發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。2018年以來(lái)，我國(guó)在半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的短板逐漸暴露出來(lái)。美國(guó)限制對(duì)我國(guó)科技龍頭的核心元器件出口，直接導(dǎo)致國(guó)內(nèi)科技企業(yè)受到較大沖擊。未來(lái)，中美貿(mào)易摩擦在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都將呈現(xiàn)反復(fù)拉鋸的趨勢(shì)，而國(guó)內(nèi)自上而下，從政府各部門到企業(yè)，都已經(jīng)明確了發(fā)展核心技術(shù)的方向，其中半導(dǎo)體是重中之重。

國(guó)產(chǎn)化替代已成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展契機(jī)，以華為為例，2018年核心供應(yīng)商共有92家，其中大陸廠商22家，臺(tái)灣地區(qū)廠商10家，國(guó)外廠商60家，其中有33家來(lái)自美國(guó)，11家來(lái)自日本。受到美國(guó)將華為與70家關(guān)聯(lián)企業(yè)列入實(shí)體名單影響，華為轉(zhuǎn)而注重國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)。這些成為了帶動(dòng)中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造在下一個(gè)10年快速發(fā)展的序幕。