據(jù)高能物理研究所，近日，中國科學院高能物理研究所科研團隊研制出具有良好抗輻照性能的硅超快傳感器。

該傳感器基于低增益雪崩放大二極管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經(jīng) ATLAS 合作組與 RD50 合作組測試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達到 ATLAS 實驗高顆粒度高時間分辨探測器項目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要求。

據(jù)介紹，該研究在原有 LGAD 硅超快傳感器工藝上增加了碳摻雜工藝，降低了輻照引起硅傳感器中硼摻雜的移除速率，提高了抗輻照性能。

該項目研發(fā)的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測器集成等均是國際前沿的新技術。以高能所為主體的中國組將承擔 HGTD 項目超過 1/3 的傳感器研制，近一半的探測器模塊研制，與全部的前端電路板研制。

據(jù)了解，該項目得到國家自然科學基金委員會、核探測與核電子學國家重點實驗室等的支持。