這幾年中，臺積電一躍成為半導體制造行業(yè)的大哥，不僅是全球晶圓代工的絕對主力，而且先進工藝也超越了Intel、三星等對手，更是首發(fā)了EUV光刻工藝，明年還要量產(chǎn)3nm工藝。

臺積電的崛起過程也不是一帆風順的，實際上還非常艱辛，因為20年前Intel等公司如日中天的時候，一度將臺積電排除在先進工藝之外。

前臺積電研發(fā)副總林本堅日前提到了這段往事，他指出2002年左右，Intel拉攏摩托羅拉、AMD等公司成立了EUV LCC聯(lián)盟，一起出錢出力研發(fā)EUV光刻設(shè)備，希望用于未來的60nm、40nm等工藝。

當時臺積電也希望參與EUV聯(lián)盟，但是被排擠，因為只限于6家公司，最終IBM搶到最后一個位置，臺積電無緣。

雖然臺積電沒有加入EUV聯(lián)盟，但是他們并沒有灰心，轉(zhuǎn)而研究了沉浸式光刻技術(shù)（光刻工藝與折射率相關(guān)，水中的折射率比空氣要高，有利于提高光刻分辨率），最終實現(xiàn)了翻身，現(xiàn)在沉浸式光刻技術(shù)已經(jīng)成為主流，ASML的先進光刻機都應(yīng)用了該技術(shù)。

林本堅指出，當年參與EUV聯(lián)盟的半導體企業(yè)中，除了Intel，其他5家公司已經(jīng)退出芯片制造了。

PS：對于臺積電來說，林本堅是臺積電工藝翻身的大佬之一，他在IBM公司工作了22年，主要從事光刻技術(shù)研究，2000年被蔣尚義招募到臺積電，2002年提出沉浸式光刻技術(shù)，帶領(lǐng)臺積電在芯片制造上翻身，奠定了今日的基礎(chǔ)，功不可沒。