近日，Yole Développement (Yole)發(fā)表了關(guān)于功率模塊封裝市場的分析。Yole功率半導體活動團隊首席分析師 Ana Villamor 博士在文中表示，隨著全球制定“碳達峰、碳中和”目標，帶來更多綠色能源發(fā)電、綠色汽車、充電樁、儲能等需求，功率半導體器件市場將從2020年的175億美元，增長至2026年的260億美元，年均復合增長率達6.9%。

　　Yole指出，當前功率器件市場仍由分立器件主導，但未來幾年功率模塊份額將顯著增加。汽車、工業(yè)電機驅(qū)動器和電信將成為分立組件細分市場的主要驅(qū)動力，到 2026 年分立組件細分市場將超過 160億美元。電動汽車、工業(yè)電機和家用電器將到 2026 年，將功率模塊市場推向近 100億美元。

　　“在功率半導體中，MOSFET、IGBT及SiC技術(shù)是至關(guān)重要的三個領(lǐng)域，”Ana Villamor 解釋道。“MOSFET 對于低功率細分市場至關(guān)重要；IGBT 模塊是電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵；用于電動汽車MOSFET分立器件和模塊的 SiC 技術(shù)也值得關(guān)注”。

　　由硅基MOSFET組件主導的低功率市場在2020-2026年之間將繼續(xù)以 3.8%的復合年增長率增長。該細分市場受到消費電子、汽車輔助系統(tǒng)和小功率工業(yè)應(yīng)用的推動。消費類應(yīng)用占硅基 MOSFET 需求的很大部分。值得注意的是，GaN材料將在消費電子產(chǎn)品的快速充電器搶占硅基MOSFET市場的部分份額。汽車輔助系統(tǒng)也值得仔細研究，因為汽車中的小型輔助系統(tǒng)大幅增加。

　　與此同時，IGBT 模塊也顯示出顯著增長，預(yù)計同期復合年增長率為 7.8%。這些電力電子組件受到電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的推動。此外還有其他的市場，例如 PV、風能和 BESS。

　　另外，市場對 SiC 技術(shù)也青睞有加。Yole 在報告中表示，SiC MOSFET 分立器件和模塊已大量滲透到 EV 應(yīng)用中。這一演變顯然將為預(yù)計到 2026 年達到 26 億美元的 SiC MOSFET 市場做出重大貢獻。電動汽車及其高質(zhì)量標準也推動了功率模塊封裝市場的巨大增長。

　　不同的應(yīng)用趨勢有利于分立器件和模塊，從而為這兩個設(shè)備細分市場帶來良好的增長：

　　IGBT 和 SiC 功率模塊主要用于電動汽車、風力渦輪機、光伏、BESS 和電動汽車直流充電器等應(yīng)用，主要受更高系統(tǒng)功率趨勢的推動。

　　另一方面，分立功率組件主要用于低功率應(yīng)用，例如低功率電機驅(qū)動器、光伏微型逆變器和住宅組串光伏逆變器，汽車輔助系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動汽車的車載充電器等。

　　幾個關(guān)鍵方面推動了分立器件行業(yè)的發(fā)展：

　　產(chǎn)品和供應(yīng)商的廣泛選擇、標準化產(chǎn)品和技術(shù)的使用以及每臺設(shè)備的更低成本。然而，要在創(chuàng)新和效率競賽中取得成功，制造商不應(yīng)僅依靠半導體方面。

　　在追求電氣、熱和機械性能的最佳配置時，他們必須與封裝的可靠性和成本作斗爭。這些參數(shù)確實非常重要。封裝不僅僅是一個簡單的“外殼”，它可以成就或破壞一個設(shè)計，因此應(yīng)該適應(yīng)和補充特定的模具，而不是降低它們的性能。

　　Yole功率電子和電池部門首席分析師Milan Rosina博士總結(jié)說，低于30kW至50kW的應(yīng)用將主要采用分立器件，更高功率的應(yīng)用將更多地使用功率模塊，但高效率要求使對組件和技術(shù)的需求更加多樣化。

　　該公司還表示，在功率半導體器件市場中，大型企業(yè)正在將業(yè)務(wù)擴展到新的細分市場和產(chǎn)品，以擴大其產(chǎn)品組合并保護其供應(yīng)鏈，包括擴大產(chǎn)能，遷移至12英寸晶圓等。