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中科院攻克石墨烯一大難關(guān):二維變一維 更適合造芯片

2022-01-11 11:42 快科技
關(guān)鍵詞:石墨烯芯片科技

導(dǎo)讀:研究表明,將氫氣的流速控制在相對微量的狀態(tài),同時(shí)以液態(tài)金屬作為催化基底,可以引入一種新型的梳狀刻蝕行為,從而調(diào)控石墨烯的生長。

石墨烯具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)特性,在材料學(xué)、微納加工、能源、生物醫(yī)學(xué)和藥物傳遞等方面具有重要的應(yīng)用前景,被認(rèn)為是一種未來革命性的材料。

傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)上,石墨烯呈現(xiàn)碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)。

而日前,中科院發(fā)表論文顯示,該院已經(jīng)能夠制成準(zhǔn)一維的線性石墨烯,方便直接制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯納米帶陣列。相關(guān)研究成果發(fā)表在最National Science Review上。

石墨烯納米帶中存在由量子效應(yīng)引入的帶隙,使之具有獨(dú)特的電學(xué)性能,可以克服石墨烯本身半金屬特質(zhì)帶來的不便,更適用于集成電路的制造。

中科院攻克石墨烯一大難關(guān):二維變一維 更適合造芯片

CVD方法原位生長的的石墨烯納米帶

據(jù)了解,中科院化學(xué)研究所有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室研究員于貴課題組和清華大學(xué)教授徐志平團(tuán)隊(duì)合作,通過調(diào)控化學(xué)氣相沉積過程中的生長參數(shù),直接在液態(tài)金屬表面原位生長出大面積、高質(zhì)量的石墨烯納米帶陣列。

研究表明,將氫氣的流速控制在相對微量的狀態(tài),同時(shí)以液態(tài)金屬作為催化基底,可以引入一種新型的梳狀刻蝕行為,從而調(diào)控石墨烯的生長。

實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),利用梳狀刻蝕控制石墨烯的生長可以將傳統(tǒng)的薄膜生長轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)一維的線性生長,從而直接制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯納米帶陣列。

通過優(yōu)化生長條件,可以將石墨烯納米帶的寬度縮小至8納米,并且長度大于3微米。該工作為大面積、快速制備石墨烯納米帶的研究奠定了基礎(chǔ)。

中科院攻克石墨烯一大難關(guān):二維變一維 更適合造芯片