瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm 押注GaN技術(shù)

1月11日，瑞薩電子和氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導者Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。該交易預計將于2024年下半年完成。

公告稱，此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務范圍擴大到電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長的市場。

據(jù)悉，GaN是一種新興材料，可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。瑞薩電子將采用Transphorm的汽車級GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及計算、能源、工業(yè)和消費應用。