4月20日，芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批順利下線，這標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國(guó)內(nèi)首家開(kāi)啟8英寸碳化硅的晶圓廠。

圖 | 8英寸碳化硅工程批順利下線現(xiàn)場(chǎng)

近兩年，新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)能等市場(chǎng)發(fā)展，帶動(dòng)碳化硅器件和模組的需求規(guī)模持續(xù)保持高速增長(zhǎng)。而碳化硅器件產(chǎn)能的供不應(yīng)求、以及偏高的成本仍然阻礙著其進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。

目前，碳化硅單器件價(jià)格普遍在硅器件的4、5倍左右。碳化硅器件要能被廣泛采用，成本必須持續(xù)優(yōu)化，如今業(yè)內(nèi)的目標(biāo)是將碳化硅器件的成本降到硅器件的2.5倍甚至2倍以?xún)?nèi)。

碳化硅器件實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)及成本優(yōu)化的最佳路徑是將芯片制造從6英寸轉(zhuǎn)到8英寸。同時(shí)，提升良率、將器件類(lèi)型從平面型轉(zhuǎn)向溝槽型也都將助力碳化硅整體成本的優(yōu)化。

芯聯(lián)集成在以上三個(gè)領(lǐng)域都在不斷發(fā)力。芯聯(lián)集成的碳化硅芯片一直保持著行業(yè)領(lǐng)先的高良率水平，與此同時(shí)，芯聯(lián)集成溝槽式碳化硅MOSFET研發(fā)已進(jìn)入驗(yàn)證階段。如今，芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批已經(jīng)率先順利下線，這些重大進(jìn)展都將構(gòu)筑芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域的不斷突破和持續(xù)領(lǐng)先。

芯聯(lián)集成不斷推動(dòng)碳化硅器件性能提升、成本優(yōu)化，將滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)能領(lǐng)域企業(yè)對(duì)“降本增效”的追求，加速碳化硅進(jìn)入更大規(guī)模的應(yīng)用。這同時(shí)也將進(jìn)一步助推芯聯(lián)集成碳化硅業(yè)務(wù)今年實(shí)現(xiàn)超10億元營(yíng)收的目標(biāo)。