Hitachi(日立)公司 在日前發(fā)布世界上最小的RFID芯片－µ芯片。該芯片只有0.15x0.15 mm 大小,厚度為7.5微米。µ芯片必須外接RFID天線才可以成為能夠正常工作的RFID標(biāo)簽。此次推出的芯片比日立之前發(fā)布的µ芯片版本0.4x0.4mm 在尺寸上縮小了很多，所以每片晶圓能夠制造出來(lái)的RFID芯片數(shù)量將有近十倍的增長(zhǎng)。據(jù)專家估計(jì)，Hitachi(日立)公司的µ芯片成本將僅僅是每片 0.92 美分。

      該芯片在生產(chǎn)時(shí)已被內(nèi)置了128位不可更改的UID識(shí)別碼，當(dāng)RFID標(biāo)簽受到無(wú)線電波的激發(fā)時(shí)，它將會(huì)將該UID碼通過(guò)電磁場(chǎng)傳輸給識(shí)讀器。

　　該芯片使用了最新的SOI技術(shù)(硅絕緣體技術(shù) Silicon-on-Insulator)。即先在硅基板上形成絕緣層和單晶體硅層，再在這種硅晶絕緣體基板上形成晶體管。晶體管周圍因?yàn)橛薪^緣層包裹，即使排列非常密集，信號(hào)也不會(huì)互相干擾。而以往的芯片為了防止元件間互相干擾引發(fā)錯(cuò)誤，需要設(shè)置較寬的元件隔離帶，從而影響了芯片尺寸的縮小。另外，新型芯片上回路形成后，研發(fā)人員從硅晶絕緣體基板背面將硅層完全削去，使芯片比以往的產(chǎn)品更薄。

    硅絕緣體（SOI）是IBM開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體制造技術(shù)，它使用單晶硅和二氧化硅來(lái)制作集成電路（IC）以及微芯片。SOI微芯片的處理速度往往比現(xiàn)在的互補(bǔ)金屬氧化物（CMOS）芯片快30％，電源消耗減少80％，這使得SOI成為移動(dòng)設(shè)備的理想選擇。SOI微芯片沒(méi)有摻雜，消除了大部分電容，使得SOI微芯片能夠較快較冷的工作。CMOS芯片加入了摻雜，它允許芯片存儲(chǔ)電荷，稱為電容。

Hitachi(日立)公司稱他們下一步的目標(biāo)是縮小µ芯片的外接天線尺寸和提高RFID標(biāo)簽的讀取距離。該芯片可用于物品的追蹤、安全、防偽等方面，由于其尺寸上的優(yōu)勢(shì)，特別適用于文檔或證書(shū)等貴重物的防偽。