2022年的ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)（國(guó)際三大半導(dǎo)體頂級(jí)會(huì)議之一）將于2月24日舉行，廠商會(huì)在這次大會(huì)上展示最新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中SK海力士會(huì)介紹最新的HBM3內(nèi)存技術(shù)，帶寬從此前的819GB/s提升到896GB/s。

HBM3已經(jīng)是HBM系列高帶寬內(nèi)存的第四代標(biāo)準(zhǔn)，之前三代分別是HBM、HBM2、HBM2E，其中SK海力士的HBM2E在2020年七月全球首家投入量產(chǎn)。

SK海力士去年8月份就首發(fā)了HBM3內(nèi)存，提供兩種容量，一是16GB，二是24GB，后者創(chuàng)下新紀(jì)錄，內(nèi)部通過(guò)TSV硅穿孔技術(shù)堆疊了多達(dá)12顆芯片，但是厚度依然控制在大約30微米，相當(dāng)于一張A4紙的三分之一。

當(dāng)時(shí)的HBM3內(nèi)存帶寬是819GB/s，這次在ISSCC大會(huì)上展示的則是更快的新品，帶寬提升到了896GB/s，增長(zhǎng)了9%。

要知道AMD在2015年首發(fā)的第一代HBM內(nèi)存中，4顆HBM、等效4096bit位寬才獲得了512GB/s的帶寬，現(xiàn)在HBM3一顆帶寬就幾乎翻倍。

可惜的是，HBM3內(nèi)存越來(lái)越貴，除了數(shù)據(jù)中心GPU/CPU之外，消費(fèi)級(jí)顯卡、處理器上恐怕是見不到了。